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Die Bildung von ohmschen Kontakten auf der Rückseite von SiC-Leistungsbauelementen spielt eine Schlüsselrolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der mechanischen Festigkeit. Weitere Informationen unter https://lasermikrobearbeitung.de/ Ihre Vorteile mit unserer OCF-Technologie: • Homogene Prozessergebnisse durch Spot-Scanning • Flexible Programmierung und großer Parameterbereich für Testmuster • Bildet ohmsche Ni-Silizid-Grenzflächen • Machbarkeitsstudien und Rezepturentwicklung mit Ihren Mustern in unserem Labor • Hohe Flexibilität - perfekt geeignet für F&E-Ansätze • Prototyping und Co-Entwicklung möglich - Rezepturentwicklung für Ihre Metall-Stacks • 200 mm Waferbearbeitung - besonders geeignet für dünne Wafer Zusätzliche technische Informationen: • Laser-Sensor-Paket • Logfile-Funktion / Zugriffsrechteverwaltung • Standard-Waferdicke: 100 - 500 μm • Eignung für Wafer auf Glasträger Bearbeitbare Materialien sind: • Silizium (Si) • Siliziumkarbid (SiC) Einsatzgebiet: • Halbleiterindustrie • Power Devices Der Markt für Leistungsbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) verzeichnet ein zweistelliges Wachstum, was auf die Vorteile von SiC bei der Steigerung der Leistungseffizienz und der Minimierung von Energieverlusten in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen und Hybridfahrzeugen, Stromversorgungen und Solarwechselrichtern zurückzuführen ist. Die Bildung von ohmschen Kontakten auf der Rückseite von SiC-Leistungsbauelementen spielt eine Schlüsselrolle bei der Bestimmung der elektrischen Eigenschaften und der mechanischen Festigkeit des Bauelements. Traditionell wurden für die OCF auf der Rückseite von SiC-Wafern thermische Annealingprozesse mit Blitzlampen mit Millisekunden-Pulsen verwendet. Da für diesen Prozess Temperaturen von über 1000 °C erforderlich sind, die sich nachteilig auf die Strukturen auf der Vorderseite der Wafer auswirken können, sind Blitzlampen auf Waferdicken von 350 Mikrometern und mehr beschränkt. Da die Industrie nun zu dünneren SiC-Leistungsbauelementen übergeht, um die elektrische Leistung und das Wärmemanagement zu verbessern, werden neue Annealingverfahren benötigt, die diese thermischen Auswirkungen minimieren. Das Laserannealing mit UV-Nanosekundenpulsen bietet die hohe Präzision und Wiederholbarkeit, die für OCF auf der Rückseite von SiC-Wafern erforderlich ist, und stellt gleichzeitig sicher, dass die Wafervorderseite nicht thermisch beschädigt wird, was die Leistung der Bauelemente beeinträchtigen kann.